半導体ウェーハ研削用ビトリファイドダイヤモンドホイール nanoVi

業界最小粒径0.5μmの超微粒ダイヤを均等にする革新製法の開発により、SiCウェーハ研削において優れた切れ味持続性と低摩耗率を両立し、生産性向上に貢献します。 8インチSiCウェーハ研削において、表面粗さSa1.2nmの高品位研削を達成しました。